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【課程名稱】 功率半導體工程及IGBT組件特性介紹
【課程代碼】 06S436
【上課時間】 2018/3/8-3/29,每周四,18:50-21:50,共4堂。 
【課程目標】 本課程將從功率元件元件物理與工程(MOST、各種功率MOS電晶體、功率IGBT)談起,接著講授功率元件閘流體(Tyristor)及說明功率IGBT元件的各種電性特性、熱阻,也包括如何其安全操作區域等,進而談論功率IGBT各種應用的可靠度考慮點: 例如最高操作電壓、最高操作電流、最高操作溫度及可靠度考量,最後討論晶片及封裝技術包括:各種應用晶片模組、封裝結構、高可靠度封裝。
【修課條件】 1.大專以上
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與 品管、品保、FA相關技 術人員。
3.理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
4.現職科技公司工程師,當然也適合新進工程師或欲培育第二專長 者。
【課程大綱】 I. Physics & Engineering for Power Devices
MOS Transistor
Types of Power MOSFET
Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
II. Power Device: Tyristor
Parasitic SCR in an IGBT
I-V Characteristics of an SCR
Embedded SCR in HV and LV Processes
Thyristors in Power Electronics
How to Avoid the LU Effect ?
III. Characteristics of Power IGBTs
Power IGBTs
How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
Device Characteristics of an IGBT
IV. Reliability Considerations and Applications of Power IGBTs
IGBTs Reliability Considerations
IGBT in ESD Clamping Applications
IGBT in Consumer Applications
Chip & Package Technologies
Conclusions in Power IGBTs
【課程師資】 最高學歷:國立清華大學 電機博士
現任職務:國立聯合大學 電子系 教授
重要經歷:國立聯合大學 電子系主任/所長
北京大學 軟件與微電子學院 兼任教授
台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
盛強電子/ 閎康科技公司 顧問
深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
工研院電子所顧問/ 偉詮電子公司 顧問
TSMC/ UMC公司 顧問
十速科技公司 顧問
AX電子公司 研發處處長
SunPal Tech 公司 研發處處長
工研院電子所工程師/副理
專長: 類比電路設計, ESD/LU防護電路設計, 電力電子
【上課時數】 12 小時
【上課地點】 新竹市光復路二段101號創新育成大樓
【主辦單位】 財團法人自強工業科學基金會
【課程費用】 8000元 (超值優惠價格需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
【超值優惠】
  • VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
  • 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 7500 元
  • 早安鳥方案:會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享超值優惠價 7300 元
  • 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 350 點
【諮詢專線】 03-5623116 ext 3221 林小姐 wplin@tcfst.org.tw
【學員須知】 報名與繳退費方法常見問題與解決會員紅利積點活動辦法
【注意事項】
  1. 若遇不可預測之突發因素,基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
  2. 無紙化環境,輕鬆達到減碳救地球,即日起16小時以上課程結業證書改以電子方式提供。
  3. 使用VIP廠商優惠之學員,上課當日報到時須查核該公司識別證(相關證明資料)。
  4. 會員紅利折抵限以原價或會員優惠價再折抵,其他方案不適用。
  5. 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
  6. 課程嚴禁旁聽,亦不可攜眷參與。