代碼 課程名稱 日期 時數 費用 會員價 早鳥價  
11S399 高功率元件原理、材料與應用【全選】 3/4、3/11、3/18
每週六,9:00~16:00
18 11,000 9,900 9,350
11S399-1 三族氮化物磊晶 成長與分析 3/4
週六,9:00~12:00
3 2,400 2,200 2,100
11S399-2 功率元件之太空應用: 可靠度與檢測方式 3/4
週六,13:00~16:00
3 2,400 2,200 2,100
11S399-3 Reliability of high power devices 3/11
週六,9:00~12:00
3 2,400 2,200 2,100
11S399-4 寬能隙氧化物 從晶棒/磊晶/元件 3/11
週六,13:00~16:00
3 2,400 2,200 2,100
11S399-5 GaN power devices technology & applications 3/18
週六,9:00~12:00
3 2,400 2,200 2,100
11S399-6 GaN 功率元件與製程 3/18
週六,13:00~16:00
3 2,400 2,200 2,100
 
 
課程師資
│ 聘任「國立陽明交通大學」專業領域學有專精之師資群。
師資群 :
張立教授 陽明交大材料科學與工程學系所
鍾錦翰教授 陽明交大國際半導體學
吳添立教授 陽明交大國際半導體學院
洪瑞華教授 陽明交大電子所
張翼教授 陽明交大材料科學與工程學系所
林群雄教授 陽明交大國際半導體學院
 

課程大綱:
11S399-1 【高功率元件原理、材料與應用-1】三族氮化物磊晶成長與分析
授課講師 張立教授(陽明交大材料科學與工程學系所)
上課時間 112/3/4(六) 09:00~12:00,共計3小時
課程大綱 1.磊晶原理
■ 同質磊晶與異質磊晶
■ 三族氮化物之晶體結構
■ 藍寶石、碳化矽、矽等基板之晶體結構與表面性質
■ 磊晶層結構:GaN on Sapphire、HEMT GaN on SiC、 HEMT GaN on Si磊晶成長模式
■ 磊晶品質:晶格匹配度、磊晶應力、臨界厚度、失合差排、貫穿差排
2.有機金屬化學氣相沉積原理
■ 沉積過程
■ 設備組成及氣流
■ 前驅物與氣體之性質
■ 化學反應及條件:溫度、壓力、流量、V/III比、沉積速率成核
3.磊晶薄膜分析
■ 量測與分析: 膜厚、應力、晶體缺陷、組成、表面粗糙度
■ 分析技術: 高解析X光繞射(XRD)、光致發光(PL)、陰極發光(CL)、電子顯 微鏡(SEM/TEM)、原子力顯微鏡(AFM)

11S399-2 【高功率元件原理、材料與應用-2】「Power Device in Space: Reliability and Test Methods」功率元件之太空應用: 可靠度與檢測方式
授課講師 鍾錦翰教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間 112/3/4(六) 13:00~16:00,共計3小時
課程大綱 航空與太空應用,甚至地表的核能設施中
功率元件需針對輻射線做額外的可靠度考量
本課程將引導學員學習:
1.不同應用下輻射線類別、分布、以及量化方式
2.輻射線於半導體元件中產生的物理效應與失效機制
3.氮化鎵與碳化矽功率元件輻射線效應的分析方式

11S399-3 【高功率元件原理、材料與應用-3】Reliability of high power devices
授課講師 吳添立教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間 112/3/11(六) 09:00~12:00,共計3小時
課程大綱 1.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件操作物理機制
2.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)功率元件可靠度測試方式
3.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)功率元件可靠度失效機制

11S399-4 【高功率元件原理、材料與應用-4】寬能隙氧化物從晶棒/磊晶/元件
授課講師 洪瑞華教授(陽明交大電子所)
上課時間 112/3/11(六) 13:00~16:00,共計3小時
課程大綱 1.寬能隙氧化物從晶棒/磊晶/元件
2.寬能隙氧化物之發展現況
3.寬能隙氧化物基板製作
4.寬能隙氧化物磊晶成長
5.寬能隙氧化物功率元件之設計與製作

11S399-5 【高功率元件原理、材料與應用-5】GaN power devices technology & applications
授課講師 張翼教授(陽明交大材料科學與工程學系所)
上課時間 112/3/18(六) 09:00~12:00,共計3小時
課程大綱 1.Material properties of GaN
2.What is HEMT - 2DEG mechanism
3.AlGaN/GaN epitaxial growth
4.Device fabrication
5.Electrical performances of GaN power devices
6.power applications
7.Enhanced-mode (normally-off) HEMT device

11S399-6 【高功率元件原理、材料與應用-6】GaN功率元件與製程GaN power device and process engineering
授課講師 林群雄教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間 112/3/18(六) 13:00~16:00,共計3小時
課程大綱 1.氮化鎵元件結構介紹
2.典型 Gate and Ohmic contact 製程 for 氮化鎵HEMT元件
3.先進 CMOS compatible 製程 for 氮化鎵HEMT元件
4. p-GaN gate GaN HEMT元件製程
5.Vertical GaN 元件製程
主辦單位 中國材料科學學會產學研合作委員會、財團法人自強工業科學基金會
上課地點: 自強基金會新竹總部 ( 清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側 )
諮詢專線: 03-5623116#3227 許小姐 : E-mail: cyhsu@tcfst.org.tw
會員優惠: 會員於開課七日前(含)報名並於收到本會繳款通知後完成繳費,可享有會員優惠價
早安鳥方案: 會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享早鳥價