課程特色： 強調基礎原理的理解。透過從已知的基礎原理去類比瞭解新的半導體元件原理。 掌握半導體元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明半導體元件。 掌握MOS元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明MOS元件。 代碼 課程名稱 日期 時數 費用 會員價 早鳥價   12S302 半導體元件物理與設計 3/14、3/21、3/28、4/11、4/18、4/25、5/2、5/9、5/16 每周二晚間18:30~21:30 27 11,000 10,000 9,500 12S303 MOS元件物理與設計 5/23、5/30、6/6、6/13、6/20、6/27、7/4、7/11、7/18 每周二晚間18:30~21:30 27 11,000 10,000 9,500 於112/3/1前兩門課皆報名者，可享18000元/人。(原價22000元/人，欲使用此優惠，須於課前告知)       課程師資： │ 聘任「國立清華大學」專業領域學有專精之師資。 │ 師資 ： 連振炘 國立清華大學 電子工程研究所 教授 專長：半導體元件、非揮發性記憶體元件、CMOS功率元件、2D材料與元件 現任：國立清華大學 電子工程研究所 教授     上課對象： 適合大專(含)以上，電機/化學/化工/電子等理工科系畢業者。   課程大綱： 12S302 半導體元件物理與設計 課程大綱 1.晶體、電子、電洞與能帶 2.載子濃度與費米位準 3.載子傳輸及帕松方程式 4.不平衡狀態與準費米位準 5.PN 接面 6.MS 接面 7.雙載子接面電晶體 12S303 MOS元件物理與設計 課程大綱 1.MOS電容與閘極堆疊 2.MOS電晶體的導通電流及其演進與趨勢 3.飽和區MOS電晶體的特性 4.MOS電晶體的漏電電流 5.MOS電晶體的微縮與趨勢 主辦單位： 財團法人自強工業科學基金會 上課地點： 自強基金會新竹總部 ( 清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側 ) 諮詢專線： 03-5623116#3227 許小姐 : E-mail: cyhsu@tcfst.org.tw 會員優惠： 會員於開課七日前(含)報名並於收到本會繳款通知後完成繳費，可享有會員優惠價。 早安鳥方案： 會員於開課二週前(含)報名並完成繳費，可享早鳥價。