課程特色


強調基礎原理的理解。透過從已知的基礎原理去類比瞭解新的半導體元件原理。


掌握半導體元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明半導體元件。


掌握MOS元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明MOS元件。
代碼 課程名稱 日期 時數 費用 會員價 早鳥價  
12S302 半導體元件物理與設計 3/14、3/21、3/28、4/11、4/18、4/25、5/2、5/9、5/16
每周二晚間18:30~21:30
27 11,000 10,000 9,500
12S303 MOS元件物理與設計 5/23、5/30、6/6、6/13、6/20、6/27、7/4、7/11、7/18
每周二晚間18:30~21:30
27 11,000 10,000 9,500
於112/3/1前兩門課皆報名者,可享18000元/人。(原價22000元/人,欲使用此優惠,須於課前告知)
 
   
課程師資
│ 聘任「國立清華大學」專業領域學有專精之師資。
師資 :
連振炘 國立清華大學 電子工程研究所 教授
專長:半導體元件、非揮發性記憶體元件、CMOS功率元件、2D材料與元件
現任:國立清華大學 電子工程研究所 教授
   

上課對象


適合大專(含)以上,電機/化學/化工/電子等理工科系畢業者。
 
課程大綱:
12S302 半導體元件物理與設計
課程大綱 1.晶體、電子、電洞與能帶
2.載子濃度與費米位準
3.載子傳輸及帕松方程式
4.不平衡狀態與準費米位準
5.PN 接面
6.MS 接面
7.雙載子接面電晶體

12S303 MOS元件物理與設計
課程大綱 1.MOS電容與閘極堆疊
2.MOS電晶體的導通電流及其演進與趨勢
3.飽和區MOS電晶體的特性
4.MOS電晶體的漏電電流
5.MOS電晶體的微縮與趨勢

主辦單位 財團法人自強工業科學基金會
上課地點: 自強基金會新竹總部 ( 清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側 )
諮詢專線: 03-5623116#3227 許小姐 : E-mail: cyhsu@tcfst.org.tw
會員優惠: 會員於開課七日前(含)報名並於收到本會繳款通知後完成繳費,可享有會員優惠價
早安鳥方案: 會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享早鳥價