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【課程名稱】 3D Technologies of Transistor and NAND Flash (三維多閘極電晶體與反及閘快閃記憶體技術)
【課程代碼】 07S320
【上課時間】 107/09/01(六),AM 09:00~PM 17:00,共1天 7小時。  
【課程目標】 1. 目前MOS電晶體與NAND Flash元件面臨微縮的瓶頸,引入3D 多閘極電晶體與3D架構的NAND Flash元件可以解決微縮問題,使製造廠商可以在降低成本下延續製程技術的發展。
2. 使學員瞭解MOS電晶體與Flash元件的操作原理與功能架構,以及3D 多閘極電晶體與NAND Flash發展與實用的挑戰。
【課程特色】 本課程將說明電晶體元件縮小的趨勢[將從strained Si, high-k metal gate的發展至各種三 維 (3D)電晶體的介紹(如FinFET、Trigate FET與GAA FET等),也將介紹 一些新穎式的電晶體[如 負 電容、撞擊游離與穿隧電晶體(NC-FET、 I-MOS與T-FET)等]以及目前 14/16nm FinFET的特性 與 技術。
在記憶體方面,反及閘快閃記憶體(NAND Flash)的角色已越來越吃 重,其使用數量與營收已漸漸 與DRAM拉開;目前NAND Flash元件的縮小已由2D發展至3D,三星更已 經量產了3D V- NAND Flash,本課程講解完2D NAND Flash元件的技術發展後,將說明幾種 重要3D NAND Flash的架 構 [如垂直通道(vertical channel)架構的BiCS、P-BiCS、TCAT與VSAT 等以及垂直閘極 (vertical gate)架構的VG-NAND等]與其製程技術[如Gate-first與 Gate-last的閘極製程]。
除了3D Charge-Trap NAND Flash外,也會說明3D Floating-Gate NAND Flash的製程,並 比 較其優缺點。另外NAND Flash cell array的讀、寫、抹除各種操作 與干擾(如 read/program/erase operations and disturbances以及寫入時 ISPP的特性與好處)、組織 時 序(如page read/program and block erase的 timing diagrams)、功能架構與產品主要規 格 (如DC and AC的spec)等亦會說明。
此課程可以使學員紮實瞭解傳統MOSFET與最先進的三維(3D)多閘極電晶 體的元件特性,以及傳統 快閃記憶體元件與最先進的3D NAND Flash的元件特性;上完此課程, 學員不但可以瞭解電晶體 與快閃記憶體的元件特性、三維架構與製程技術外,還可以知道它們的 為何都會發展成三維架構 的元件以及它們未來的走向。
【修課條件】 1.大專以上理工科系畢業或有MOSFET元件基礎者。
2.適合製程、元件、設計、產品、測試、可靠度、行銷業務等工程師之相 關從業人員。
3.對半導體元件發展與挑戰有興趣者。
【課程大綱】 1.Device scaling trend: from strain-Si, HK/MG to FinFET
2.3D transistors and novel transistors: (FinFET, Trigate FET and Gate-all- around FET) vs. (Negative Capacitance FET, Impact Ionization MOS and Tunnel FET)
3.Memory cells and business
4.Flash cell operation and function organization
5.3D NAND Flash: architecture and process
【課程師資】 邱福千博士
-現任:電子工程學系教授。
-專長:矽基元件與製程技術、記憶體技術、元件可靠度工程
-經歷:
*華邦電子─DRAM製程整合工程、技術暨元件開發部、SRAM產品工程部、 邏輯元件部(含ESD 保 護)、電子元件可靠度工程部
*民生科技─類比IC設計
-high-k, RRAM相關研究數十篇
-國內外專利:15件
-IEEE、中國工程師學會、台灣靜電放電防護工程學會等會員。財團法 人中華民國證卷櫃檯買賣 中心產學專家暨創新創意審查委員。台灣靜電放電防護技術暨可靠度技 術研討會議程委員。
-國際期刊首席客座編輯委員:Advances in Materials Science and Engineering、The Scientific World Journal。
-國際期刊的審稿委員:IEEE Electron Device Letters,IEEE Transactions on Electron Devices,Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics,Journal of the Electrochemical Society,Electrochemical and Solid State Letters, Microelectronics Reliability, Microelectronic Engineering,Journal of Materials Science,Vacuum,Materials Chemistry and Physics,Nanoscale Research Letters…等。
【上課時數】 7 小時
【上課地點】 清華大學 創新育成大樓(近寶山路與高翠路交叉口)
【主辦單位】 財團法人自強科學基金會
【課程費用】 6000元 (超值優惠價格需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
【超值優惠】
  • VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
  • 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 5400 元
  • 早安鳥方案:會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享超值優惠價 5200 元
  • 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 300 點
【諮詢專線】 03-5623116#3226 鄒小姐 yhtsou@tcfst.org.tw
【學員須知】 報名與繳退費方法常見問題與解決會員紅利積點活動辦法
【注意事項】
  1. 若遇不可預測之突發因素,基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
  2. 無紙化環境,輕鬆達到減碳救地球,即日起16小時以上課程結業證書改以電子方式提供。
  3. 使用VIP廠商優惠之學員,上課當日報到時須查核該公司識別證(相關證明資料)。
  4. 會員紅利折抵限以原價或會員優惠價再折抵,其他方案不適用。
  5. 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
  6. 課程嚴禁旁聽,亦不可攜眷參與。