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【課程名稱】 功率半導體工程及IGBT組件特性介紹
【課程代碼】 07S325
【上課時間】 2018/7/31-8/21,週二,18:45-21:45,共4週12小時。 
【課程目標】 本課程將從功率元件元件物理與工程(MOST、各種功率MOS電晶體、功率IGBT)談起,接著講授功率元件閘流體(Tyristor)及說明功率IGBT元件的各種電性特性、熱阻,也包括如何其安全操作區域等,進而談論功率IGBT各種應用的可靠度考慮點: 例如最高操作電壓、最高操作電流、最高操作溫度及可靠度考量,最後討論晶片及封裝技術包括:各種應用晶片模組、封裝結構、高可靠度封裝。
【修課條件】 1.大專以上
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與 品管、品保、FA相關技 術人員。
3.理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
4.現職科技公司工程師,當然也適合新進工程師或欲培育第二專長 者。
【課程大綱】 1. Physics & Engineering for Power Devices
●MOS Transistor
●Types of Power MOSFET
●Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
2. Power Device: Tyristor
●Parasitic SCR in an IGBT
●I-V Characteristics of an SCR
●Embedded SCR in HV and LV Processes
●Thyristors in Power Electronics
●How to Avoid the LU Effect ?
3. Characteristics of Power IGBTs
●Power IGBTs
●How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
●Device Characteristics of an IGBT
4. Reliability Considerations and Applications of Power IGBTs
●IGBTs Reliability Considerations
●IGBT in ESD Clamping Applications
●IGBT in Consumer Applications
●Chip & Package Technologies
●Conclusions in Power IGBTs
【課程師資】 最高學歷:國立清華大學電機博士
現任職務:國立聯合大學電子系 教授
重要經歷:國立聯合大學電子系主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會理事/監事
●盛強電子/閎康科技公司顧問
●旺玖科技(股)公司顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司顧問
●TSMC/UMC公司顧問
●AX電子公司研發處處長
●工研院電子所工程師/副理
專長:ESD/LU防護電路設計、類比電路設計、VLSI製程/測試
【上課時數】 12 小時
【上課地點】 清華大學 創新育成大樓(近寶山路與高翠路交叉口)
【主辦單位】 財團法人自強工業科學基金會
【課程費用】 8000元 (超值優惠價格需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
【超值優惠】
  • VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
  • 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 7500 元
  • 早安鳥方案:會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享超值優惠價 7300 元
  • 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 350 點
【諮詢專線】 03-5623116 ext 3226 鄒小姐 yhtsou@tcfst.org.tw
【學員須知】 報名與繳退費方法常見問題與解決會員紅利積點活動辦法
【注意事項】
  1. 若遇不可預測之突發因素,基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
  2. 無紙化環境,輕鬆達到減碳救地球,即日起16小時以上課程結業證書改以電子方式提供。
  3. 使用VIP廠商優惠之學員,上課當日報到時須查核該公司識別證(相關證明資料)。
  4. 會員紅利折抵限以原價或會員優惠價再折抵,其他方案不適用。
  5. 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
  6. 課程嚴禁旁聽,亦不可攜眷參與。