課程特色: (此為關聯課程,建議先修12S302、再修12S303。)


強調基礎原理的理解。透過從已知的基礎原理去類比瞭解新的半導體元件原理。


掌握半導體元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明半導體元件。


掌握MOS元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明MOS元件。
代碼 課程名稱 日期 時數 費用 會員價 早鳥價  
12S302 半導體元件物理與設計 3/28、4/11、4/18、4/25、5/2、5/9、5/16、5/23、5/30
每周二 晚間18:30~21:30
27 11,000 10,000 9,500
12S302-1 半導體元件物理與設計
採用Google meet線上教學
(不提供錄影檔補課)
3/28、4/11、4/18、4/25、5/2、5/9、5/16、5/23、5/30
每周二 晚間18:30~21:30
27 11,000 10,000 9,500
12S303 MOS元件物理與設計 6/6、6/13、6/20、6/27、7/4、7/11、7/18、7/25、8/1
每周二 晚間18:30~21:30
27 11,000 10,000 9,500
12S303-1 MOS元件物理與設計
採用Google meet線上教學
(不提供錄影檔補課)
6/6、6/13、6/20、6/27、7/4、7/11、7/18、7/25、8/1
每周二 晚間18:30~21:30
27 11,000 10,000 9,500
於112/3/14前兩門課皆報名者,可享18000元/人。(原價22000元/人,欲使用此優惠,須於課前告知)
 
   
課程師資
│ 聘任「國立清華大學」專業領域學有專精之師資。
師資 :
連振炘 國立清華大學 電子工程研究所 教授
專長:半導體元件、非揮發性記憶體元件、CMOS功率元件、2D材料與元件
現任:國立清華大學 電子工程研究所 教授
   

上課對象


適合大專(含)以上,電機/化學/化工/電子等理工科系畢業者。
 
課程大綱:
12S302±1 半導體元件物理與設計
課程大綱 1.晶體、電子、電洞與能帶
2.載子濃度與費米位準
3.載子傳輸及帕松方程式
4.不平衡狀態與準費米位準
5.PN 接面
6.MS 接面
7.雙載子接面電晶體

12S303±1 MOS元件物理與設計
課程大綱 1.MOS電容與閘極堆疊
2.MOS電晶體的導通電流及其演進與趨勢
3.飽和區MOS電晶體的特性
4.MOS電晶體的漏電電流
5.MOS電晶體的微縮與趨勢

VIP企業會員價: VIP企業會員可享優惠價格(按我)
會員優惠: 會員於開課七日前(含)報名並於收到本會繳款通知後完成繳費,可享有會員優惠價
早安鳥方案: 會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享早鳥價
會員紅利折抵: 本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 100 點。
上課地點: 自強基金會新竹總部
( 清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側 )

注意事項

  • 疫外轉彎充電轉型:響應政府紓困政策,觀光產業從業人員可享課程最低優惠價─VIP企業會員優惠價,完成報名後須來電告知修改費用(使用本優惠價須於報名同時檢附相關證明資料(名片/識別證/公司在職證明..等))。
  • 清華大學學生優惠方案:清華大學學生可享課程最低優惠價─VIP企業會員優惠價,完成報名後須來電告知修改費用(使用本優惠價須於報名同時檢附清華大學學生證)。
  • 若遇不可預測之突發因素,基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
  • 無紙化環境,輕鬆達到減碳救地球,即日起16小時以上課程結業證書或未達16小時課程上課證明皆以電子方式提供。
  • 使用VIP廠商優惠之學員,上課當日報到時須查核該公司識別證(相關證明資料)。
  • 會員紅利折抵限以原價或會員優惠價再折抵,其他方案不適用。
  • 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
  • 課程嚴禁旁聽,亦不可攜眷參與。
  • 優惠方案擇一使用。
諮詢專線: 03-5623116#3227 許小姐 : E-mail: cyhsu@tcfst.org.tw
主辦單位 財團法人自強工業科學基金會