自強課程

課程名稱
【竹科管理局免費課程】GaN HEMT電路解析 如期開班
此課程已額滿,當天現場不開放報名,亦不開放候補的學員現場候補!
 課程代碼:
10A330
 上課時間:
110/10/15(五),9:30~12:30,共3小時。
※敬請留意:原定9/24(五)開課,因故已異動至10/15(五)開課  
 上課時數:
3 小時
 課程費用: (以下費用已由竹科管理局補助100%)
0元 (科學園區廠商優惠價格需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
 課程目標:
1. 訓練工程師熟悉氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),GaN優於傳統矽(Si)晶體管,讓工程師使用氮化鎵的功率轉換器迅速增加。
2. 溫度的影響下,加劇熱載子的注入和缺陷效應,氮化鎵高電子遷移率晶體管中的二維電子氣(2DEG)層會隨著時間的流逝而減弱,導致650V氮化鎵高電子遷移率晶體管的導通電阻(RON)和閾值電壓(VTH,E)逐漸增加,從而迅速降低了可靠性。訓練工程師知道溫度補償的設計觀念。
 課程大綱:
1. 介紹氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)
2. 氮化鎵(GaN)特性分析
3. 氮化鎵(GaN)驅動電路介紹
4. 積體化氮化鎵(GaN)驅動電路設計
 課程師資:
講師:國立陽明交通大學 陳科宏教授
專長:VLSI、低功率電路設計計、混合訊號電路設計、電源管理IC設計
現任:國立陽明交通大學 電機工程教授兼系主任
重要經歷:
中國電機工程學會 理事
國立陽明交通大學前瞻電力電子中心 主任
國立陽明交通大學電控工程研究所 所長
IEEE Transactions on Power Electronics - Associate Editor
IEEE Transactions on Circuits and Systems I - Associate Editor
  主辦單位:
科技部新竹科學園區管理局
 執行單位:
財團法人自強工業科學基金會
 注意:
本課程已經額滿,當天不接受現場報名。謝謝大家!!
  注意事項
※請前往竹科管理局廠商與單位名錄進行查詢,即可判斷公司是否為園區內廠商。
  • 本計畫鼓勵女性學員報名參加培訓課程,必要時得優先錄取。
  • 防疫期間如有居家隔離、居家檢疫、自主健康管理且有呼吸道感染症狀等情形者,務必遵守中央流行疫情指揮中心防疫措施,請勿出席。
  • 若遇不可預測之突發因素,基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
  • 無紙化環境,輕鬆達到減碳救地球,即日起16小時以上課程結業證書改以電子方式提供。
  • 課程嚴禁旁聽,亦不可攜眷參與。
  • 優惠方案擇一使用。
課程查詢或相關作業時程,請洽以下聯絡窗口。
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