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自強課程
課程名稱
【竹科管理局線上補助課程】功率IGBT元件工程與電氣特性介紹
熱烈招生中
全線上
課程代碼：
13S376
上課時間：
113/10/20～113/10/27，週日 09:00~16:00，共2週12小時。
上課時數：
12 小時
上課地點：
網路線上
課程費用：
(以下費用已由竹科管理局補助80%)
2400元
(科學園區廠商優惠價格需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠：
課程目標：
本課程將從講授功率IGBT市場分佈及功率元件物理與工程(Power BJT, PowerMOS、功率IGBT比較)談起，接著講授功率元件閘流體(Tyristor)及如何避免SCR閂鎖效應，進而說明功率IGBT元件的趨勢與如何製造及技術，最後也討論IGBT的各種電性特性，包括最大額定值、熱阻、安全操作區域、動態操作特性等。
修課條件：
1.大專以上
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員。
3.理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
4.現職科技公司工程師，當然也適合新進工程師。
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員。
3.理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
4.現職科技公司工程師，當然也適合新進工程師。
課程大綱：
1.Power IGBT Market
2.Physics & Engineering for Power Devices
- Power BJT
- MOS Transistor
- Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
3.Power Device: Tyristor
- Parasitic SCR in an IGBT
- I-V Characteristics of an SCR
- Embedded SCR in HV and LV Processes
- Thyristors in Power Electronics
- How to Avoid the LU Effect ?
4.Device Fabrication Trend of Power IGBTs
- Device Structures of IGBTs
- Advantages of SiC/GaN (WBG) Power Devices
- IGBT Backside Thinning and Backside Implant
- How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
5.Characteristics of Power IGBTs
- Maximum rating values
- Thermal Characteristics
- SOA
- Dynamic Specifications
- Switching Characteristics and Performances
2.Physics & Engineering for Power Devices
- Power BJT
- MOS Transistor
- Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
3.Power Device: Tyristor
- Parasitic SCR in an IGBT
- I-V Characteristics of an SCR
- Embedded SCR in HV and LV Processes
- Thyristors in Power Electronics
- How to Avoid the LU Effect ?
4.Device Fabrication Trend of Power IGBTs
- Device Structures of IGBTs
- Advantages of SiC/GaN (WBG) Power Devices
- IGBT Backside Thinning and Backside Implant
- How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
5.Characteristics of Power IGBTs
- Maximum rating values
- Thermal Characteristics
- SOA
- Dynamic Specifications
- Switching Characteristics and Performances
課程師資：
自強基金會專業講師
現任職務：國立大學電機資訊學院 院長
最高學歷：國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷：
●國立大學 電子系 主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
●十速科技公司 顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司 首席顧問
●TSMC/UMC公司 顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司 顧問
●SunPal Tech 公司 研發處 處長
●CG電子公司 研發處 處長
專長：ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試
現任職務：國立大學電機資訊學院 院長
最高學歷：國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷：
●國立大學 電子系 主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
●十速科技公司 顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司 首席顧問
●TSMC/UMC公司 顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司 顧問
●SunPal Tech 公司 研發處 處長
●CG電子公司 研發處 處長
專長：ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試
主辦單位:
國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局
執行單位：
財團法人自強工業科學基金會
學員須知：
注意事項
※請前往竹科管理局廠商與單位名錄進行查詢，即可判斷公司是否為園區內廠商。
- 本計畫鼓勵女性學員報名參加培訓課程，必要時得優先錄取。
- 本計畫以竹科園區事業單位從業員工為主優先錄取，若有名額將開放有志進入園區就業人士報名參加。
- 防疫期間如有居家隔離、居家檢疫、自主健康管理且有呼吸道感染症狀等情形者，務必遵守中央流行疫情指揮中心防疫措施，請勿出席。
- 請學員填寫能收到紙本講義之有效地址(提供地址錯誤將不重寄紙本講義),已有提供電子講義下載之課程/講座將不另郵寄紙本講義。 ☆課程費用：紙本講義及稅。
- 若遇不可預測之突發因素，基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
- 無紙化環境，輕鬆達到減碳救地球，即日起16小時以上課程結業證書或未達16小時課程上課證明皆以電子方式提供。
- 本課程不適用廠商VIP折扣優惠
- 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
- 課程嚴禁旁聽，亦不可攜眷參與。
- 優惠方案擇一使用。
☆計畫補助課程不適用於其他基金會優惠方案及不可使用紅利點數折抵費用。
☆計畫補助課程開課後，若因故無法上課，則不予退費。
✨針對園區廠商提供企業內訓課程規劃並享有優惠方案，若有需求可洽03-5623116分機3610鄒小姐。
