【高功率半導體元件與應用-1】GaN功率元件與製程(GaN power device and process engineering)

林群雄教授(陽明交大國際半導體學院)

113/11/23(六)，09:00-12:00，共3小時

1.氮化鎵元件結構介紹
2.典型 Gate and Ohmic contact 製程 for 氮化鎵HEMT元件
3.先進 CMOS compatible 製程 for 氮化鎵HEMT元件
4.p-GaN gate GaN HEMT元件製程
5.Vertical GaN 元件製程

【高功率半導體元件與應用-2】寬能隙氧化物從晶棒/磊晶/元件

洪瑞華教授(陽明交大電子所)

113/11/23(六)，13:00-16:00，共3小時

1.寬能隙氧化物從晶棒/磊晶/元件
2.寬能隙氧化物之發展現況
3.寬能隙氧化物基板製作
4.寬能隙氧化物磊晶成長
5.寬能隙氧化物功率元件之設計與製作

【高功率半導體元件與應用-3】Reliability of high power devices

吳添立教授(陽明交大國際半導體學院)

113/11/30(六)，09:00-12:00，共3小時

1.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件操作物理機制
2.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)功率元件可靠度測試方式
3.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)功率元件可靠度失效機制

【高功率半導體元件與應用-4】GaN power devices technology & applications

張翼教授(陽明交大國際半導體學院)

113/11/30(六)，13:00-16:00，共3小時

1.Material properties of GaN
2.What is HEMT - 2DEG mechanism
3.AlGaN/GaN epitaxial growth
4.Device fabrication
5.Electrical performances of GaN power devices
6.power applications
7.Enhanced-mode (normally-off) HEMT device

【高功率半導體元件與應用-5】三族氮化物磊晶成長與分析

張立教授(陽明交大材料科學與工程學系 所)

113/12/07(六)，09:00-12:00，共3小時

1.磊晶原理
2.有機金屬化學氣相沉積原理
3.磊晶薄膜分析