課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠
14A360 無線充電原理與設計 10/15~11/5,每週三,18:30-21:30,共4週 12 2500元 2000元
14S376 數位系統架構與效能優化 10/19(日),11/2(日),11/9(日),09:00~16:00 18 3500元 2000元
14A359 電池充電晶片設計 9/11~10/2,每週四,18:30-21:30,共4週 12 5500元 5000元


TOP↑
課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠
14S336 先進半導體封裝材料與分析應用 10/18(六)、10/25(六) 12 3000元 2500元
14S338 半導體元件物理解析 11/1(六)、11/8(六) 12 3000元 2500元
14S334 系統模擬應用於半導體先進製程(實作) 11/8(六)、11/15(六) 12 3500元 2000元


課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠
14S363 Edge AI邊緣運算實作(實作) 10/18(六)、11/1(六) 14 8000元 7000元


TOP↑
課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠
14S347 鐵電材料於先進元件應用 9/24(三) 3 1500元 1000元


TOP↑
課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠


TOP↑
課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠
14S332 先進半導體材料與元件應用 11/8(六)、11/15(六) 12 3000元 2500元


TOP↑
課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠


TOP↑
竹科管理局45周年園慶講座來了! 歡慶竹科管理局45周年生日快樂!
自強基金會廣邀半導體、資通訊領域大師級人物。為大家帶來一場場充滿洞見與前瞻思維的精彩講座。
透過對科技趨勢、產業變革與創新動力的深入剖析,一同回顧竹科的發展軌跡,並共同思索未來的挑戰與契機,
掌握科技發展的脈動,持續擁抱創新,迎向下一個精彩的45年!
課程代碼 課程名稱 上課日期 時數 費用 區內優惠
14S360 高效率3D TSV Reveal(MEOL)在矽光子先進封裝的應用 11/21(五) 3 免費 免費
14S391 新興半導體科技挑戰與機會 12/1(一) 3 免費 免費


TOP↑
高效率3D TSV Reveal(MEOL)在矽光子先進封裝的應用 [11/21(五)]

講者:
講師:戴國瑞 總經理
學歷:國立清華大學-工業工程暨管理研究所
專長:晶圓級封裝管理與技術
現任:瑞峰半導體股份有限公司總經理


時間:
114/11/21(五),13:30-16:30,共3小時

演講大綱:
1.晶圓級封裝技術介紹
2.Fan-in & Fan-out兩者之差異
3.扇出型晶圓級封裝(FOWLP)及扇出型面板級封裝(FOPLP)介紹
4.高效率3D TSV Reveal(MEOL)在矽光子先進封裝的應用


TOP↑
新興半導體科技挑戰與機會 [12/1(一)]

講者:
講者:張耀文 特聘教授
現職:國立臺灣大學 電機系/電子所
學歷:美國德州大學奧斯汀校區計算機科學 博士
經歷:
■國立臺灣大學電機資訊學院院長
■國立臺灣大學電機系暨電子所教授/特聘教授
■國立臺灣大學副教務長兼教學發展中心/ 數位學習中心創始主任
■ACM Fellow & IEEE Fellow
■IEEE CEDA 總裁
■IEEE CEDA 的IEEE Fellow Search Committee 主席
■ICCAD General/Program Chair/ISPD General/Program Chair/ASP-DAC Program Chair
專長:電子設計自動化,積體電路實體設計,異質整合,積體電路可製造性設計,EDA和AI協同設計。


時間:
114/12/01 (一),13:30~16:30。

演講大綱:
1.Critical technology drivers for advancing semiconductor technologies have created a world with data explosion, which drives the urgent need for computing devices with higher performance, better power efficiency, and smaller areas (lower cost).
2.To achieve the power, performance, and area (PPA) holy grail, we have three main directions for semiconductors:
(1)More Moore with continued device scaling by using advanced process technologies.
(2)Beyond CMOS with new materials of higher electron mobility to improve operating speed and power density, and More-than-Moore with 2.5D or 3D heterogeneous integration to integrate separately manufactured components into a higher-level assembly that provides enhanced functionality and improved operating characteristics.
3. We investigate most expected More-Moore transistor, patterning, and interconnect technologies to push the limits of continued scaling for better PPA, study More-than-Moore heterogeneous integration with multiple cross-physics domain considerations such as system-level, physical, electrical, mechanical, thermal, and optical effects, address their challenges for advanced circuit and system designs, highlight current EDA solutions, and identify research opportunities for the emerging challenges.


TOP↑