自強課程
課程名稱
半導體系列課程【台北班】半導體製程原理與概論完整解析
如期開班
本課程幫助學員了解完整的半導體製程技術原理與技術前後之關聯,並且介紹以矽為主要材料之半導體製程技術,當中也介紹第三代半導體材料之優點。課程內容包括半導體前段製程與後段金屬層製程之詳細說明,最後也講授積體電路完整製作流程後的晶圓允收測試、IC良率考量,讓學員對半導體製程有清楚的輪廓與了解,因此我們期許學員課後能清楚掌握各半導體技術原理。
課程代碼:
13S038
上課時間:
2024/4/26(五)5/3(五)9:00~16:00共12小時
上課時數:
12 小時
上課地點:
課程費用:
9900元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠:
- VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
- 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 9700 元
- 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 100 點
修課條件:
有興趣的學員
課程大綱:
Topic-1 半導體材料與積體電路之發展
半導體之緣起與矽晶圓基本特性
電晶體之發展過程
積體電路之發展過程
第三代半導體材料之特點
Topic-2 IC製程簡介與晶圓清洗
IC製程簡介
晶圓清洗
Topic-3 氧化層薄膜技術 (爐管)
氧化物薄膜性質
氧化層薄膜之應用
熱氧化製程、RTP
Topic-3 薄膜製程
薄膜沉積
金屬沉積(金屬物理式沈積、金屬CVD、先進Cu製程電鍍或無電鍍技術)
Topic-4 微影技術
微影簡介
光罩介紹
微影製程
先進微影技術
Topic-5 擴散與離子佈植
擴散製程及其應用
離子佈植及其應用
Topic-6 蝕刻(Etching)及研磨技術
蝕刻參數
電漿乾蝕刻原理及其應用
乾蝕刻的限制
濕蝕刻
化學機械研磨 (CMP)
Topic-7 晶圓驗證
晶圓允收測試 (WAT)
IC良率 (Yield)
PDK Cells
半導體之緣起與矽晶圓基本特性
電晶體之發展過程
積體電路之發展過程
第三代半導體材料之特點
Topic-2 IC製程簡介與晶圓清洗
IC製程簡介
晶圓清洗
Topic-3 氧化層薄膜技術 (爐管)
氧化物薄膜性質
氧化層薄膜之應用
熱氧化製程、RTP
Topic-3 薄膜製程
薄膜沉積
金屬沉積(金屬物理式沈積、金屬CVD、先進Cu製程電鍍或無電鍍技術)
Topic-4 微影技術
微影簡介
光罩介紹
微影製程
先進微影技術
Topic-5 擴散與離子佈植
擴散製程及其應用
離子佈植及其應用
Topic-6 蝕刻(Etching)及研磨技術
蝕刻參數
電漿乾蝕刻原理及其應用
乾蝕刻的限制
濕蝕刻
化學機械研磨 (CMP)
Topic-7 晶圓驗證
晶圓允收測試 (WAT)
IC良率 (Yield)
PDK Cells
課程師資:
自強基金會專業講師
主辦單位:
財團法人自強工業科學基金會
學員須知:
注意事項