自強課程

課程名稱
【竹科管理局補助課程】AI時代下化合物半導體關鍵材料、元件製程與應用解析
熱烈招生中
《企業內訓》
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如果有特定需求或細節,歡迎提供更多資訊給我們~
我們將根據您的回饋來設計專屬的訓練方案,期待能夠幫助貴公司提升效能 並達成目標。😊
✨竹科管理局園區內廠商更享有政府補助優惠方案。
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課程代碼:
14A356
上課時間:
114/6/29、7/6,每週日,09:00~16:00,共2週12小時。
上課時數:
12 小時
課程費用:
(以下費用已由竹科管理局補助80%)
2500元
(科學園區廠商優惠價格需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠:
課程目標:
隨著人工智慧(AI)應用的興起,高速通訊元件對高頻、低損耗與高功率特性的需求日益增加。在此背景下,具備優異特性的化合物半導體材料成為AI產業關注的焦點。其中,長發光波長的化合物半導體,如砷化鎵(GaAs)與磷化銦(InP),可應用於通訊與3D感測技術。而碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)則逐步與傳統矽材料結合,因其可在更高頻率、電壓與溫度環境下運作,展現卓越性能,此外新一代材料氧化鎵(Ga₂O₃)因基板製作相較於 SiC 與 GaN 更為容易,且具備超寬能隙特性,使其擁有更高的崩潰電壓與臨界電場,極具潛力於超高功率元件應用。這些材料及技術突破為相關AI產業發展帶來嶄新契機。
課程大綱:
1.化合物半導體市場趨勢及材料特性介紹
2. 砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)材料特性介紹
3. 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料特性介紹
4. 氧化鎵(Ga2O3)材料特性介紹
5. 關鍵磊晶技術原理介紹
6. 化合物半導體磊晶方法介紹 (MOCVD, LPE and MBE)
7. 關鍵化合物半導體元件製作與AI應用(高速通訊、電動車、3D感測、晶圓檢測)
8. 結論
2. 砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)材料特性介紹
3. 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料特性介紹
4. 氧化鎵(Ga2O3)材料特性介紹
5. 關鍵磊晶技術原理介紹
6. 化合物半導體磊晶方法介紹 (MOCVD, LPE and MBE)
7. 關鍵化合物半導體元件製作與AI應用(高速通訊、電動車、3D感測、晶圓檢測)
8. 結論
課程師資:
講師:邱教授
專長:化合物半導體材料磊晶及元件研製、奈米材料特性量測及元件製作
專長:化合物半導體材料磊晶及元件研製、奈米材料特性量測及元件製作
主辦單位:
國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局
執行單位:
財團法人自強工業科學基金會
學員須知:
注意事項
※請前往竹科管理局廠商與單位名錄進行查詢,即可判斷公司是否為園區內廠商。
- 本計畫鼓勵女性學員報名參加培訓課程,必要時得優先錄取。
- 本計畫以竹科園區事業單位從業員工為主優先錄取,若有名額將開放有志進入園區就業人士報名參加。
- 若遇不可預測之突發因素,基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
- 無紙化環境,輕鬆達到減碳救地球,即日起16小時以上課程結業證書或未達16小時課程上課證明皆以電子方式提供。
- 本課程不適用廠商VIP折扣優惠
- 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
- 課程嚴禁旁聽,亦不可攜眷參與。
- 優惠方案擇一使用。
☆課程費用包含:講義及稅。(不提供午餐)
☆計畫補助課程不適用於其他基金會優惠方案及不可使用紅利點數折抵費用。
★計畫補助課程《確定開課》/《線上課程講義寄出》後,若因故無法上課,則不予退費。