自強課程

課程名稱
HV/HF PowerMOS元件設計工程與靜動態特性介紹
熱烈招生中
課程代碼:
14S378
上課時間:
114/9/20-9/27,週六09:00~17:00,共2週14小時
上課時數:
14 小時
課程費用:
9200元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠:
- VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
- 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 8600 元
- 早安鳥方案:會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享超值優惠價 8000 元
- 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 100 點
課程目標:
本課程將從功率MOSFET的元件物理與工程原理講起,涵蓋MOST、垂直式高壓元件,以及各類功率MOS電晶體(包括垂直式與水平式LDMOS)的設計與應用,並探討如何實現高壓Power MOS技術。接著,課程將深入解析高壓/高頻功率MOSFET的工程技術。
隨後,我們將介紹功率元件的封裝技術,包括各種應用晶片模組、封裝結構、高可靠度封裝與高頻封裝方案。此外,課程也將探討高壓/高頻功率MOSFET的各種電性特性,如靜態電性(包括最高操作電壓、熱阻、安全操作區域)與動態電性,幫助學員掌握關鍵設計與應用要點。
隨後,我們將介紹功率元件的封裝技術,包括各種應用晶片模組、封裝結構、高可靠度封裝與高頻封裝方案。此外,課程也將探討高壓/高頻功率MOSFET的各種電性特性,如靜態電性(包括最高操作電壓、熱阻、安全操作區域)與動態電性,幫助學員掌握關鍵設計與應用要點。
修課條件:
1.大專以上理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員、新進工程師。
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員、新進工程師。
課程大綱:
I.Physics & Engineering for Power MOSFET Devices(功率MOSFET元件物理與工程)
■ MOS Transistor
■ HV Devices (Diode, Power MOSFET, IGBT)
■ Types of Power MOSFET (Vertical MOS/Lateral LDMOS)
■ How to Achieve a High-voltage PowerMOS?
II.High-voltage/High-frequency Power MOSFET Device Technologies(高壓/高頻功率MOSFET元件技術)
■ HV/HF Power MOSFET Technologies
■ Advanced Power MOSFETs
■ Device Engineering in HV/HF Power MOSFETs
■ Edge Termination Techniques in Power MOSFETs
■ SOA limits in HV PowerMOSFETs
■ WBG SiC/GaN HV Power Devices
III.Package Technologies of HV/HF Power MOSFET Devices(高壓/高頻功率MOSFET元件封裝技術)
■ Device Reliability Technologies
■ Parallel Connection of Power MOSFETs
■ Package Technologies
■ New Innovation Packages of Power MOSFETs
■ HF Power IC Packages
IV.Characteristics of HV/HF Power MOSFET Components(高壓/高頻功率MOSFET元件的電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ Static Electrical Specifications (On/Off Characteristics)
■ Dynamic/Switching Characteristics
■ MOS Transistor
■ HV Devices (Diode, Power MOSFET, IGBT)
■ Types of Power MOSFET (Vertical MOS/Lateral LDMOS)
■ How to Achieve a High-voltage PowerMOS?
II.High-voltage/High-frequency Power MOSFET Device Technologies(高壓/高頻功率MOSFET元件技術)
■ HV/HF Power MOSFET Technologies
■ Advanced Power MOSFETs
■ Device Engineering in HV/HF Power MOSFETs
■ Edge Termination Techniques in Power MOSFETs
■ SOA limits in HV PowerMOSFETs
■ WBG SiC/GaN HV Power Devices
III.Package Technologies of HV/HF Power MOSFET Devices(高壓/高頻功率MOSFET元件封裝技術)
■ Device Reliability Technologies
■ Parallel Connection of Power MOSFETs
■ Package Technologies
■ New Innovation Packages of Power MOSFETs
■ HF Power IC Packages
IV.Characteristics of HV/HF Power MOSFET Components(高壓/高頻功率MOSFET元件的電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ Static Electrical Specifications (On/Off Characteristics)
■ Dynamic/Switching Characteristics
課程師資:
自強基金會專業講師
現任職務:國立大學電機資訊學院教授
最高學歷:國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷:
●國立大學 電子系 主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
●十速科技公司 顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司 首席顧問
●TSMC/UMC公司 顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司 顧問
●SunPal Tech 公司 研發處 處長
●CG電子公司 研發處 處長
專長:ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試
現任職務:國立大學電機資訊學院教授
最高學歷:國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷:
●國立大學 電子系 主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
●十速科技公司 顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司 首席顧問
●TSMC/UMC公司 顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司 顧問
●SunPal Tech 公司 研發處 處長
●CG電子公司 研發處 處長
專長:ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試
主辦單位:
財團法人自強工業科學基金會
相關課程:
學員須知:
注意事項