自強課程

課程名稱
功率IGBT元件工程技術與電氣特性介紹
熱烈招生中
課程代碼:
14S380
上課時間:
114/11/22-11/29,週六09:00~16:00,共2週12小時
上課時數:
12 小時
課程費用:
8500元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠:
- VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
- 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 8000 元
- 早安鳥方案:會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享超值優惠價 7500 元
- 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 100 點
課程目標:
本課程將從功率IGBT的市場分佈與功率元件的物理與工程原理講起,涵蓋Power BJT、Power MOS與功率IGBT的比較分析。接著,課程將深入探討功率IGBT元件的寄生SCR效應,以及如何避免SCR閂鎖效應,以確保元件的穩定性與可靠性。
隨後,我們將說明功率IGBT的製造趨勢,介紹製程技術與背薄技術(Thinning Process),並探討如何預防IGBT的LU(Latch-Up)效應。最後,課程將解析IGBT的各項電性特性,包括最大額定值、熱阻議題、安全操作區域,以及動態操作與切換特性,幫助學員全面掌握IGBT的設計與應用要點。
隨後,我們將說明功率IGBT的製造趨勢,介紹製程技術與背薄技術(Thinning Process),並探討如何預防IGBT的LU(Latch-Up)效應。最後,課程將解析IGBT的各項電性特性,包括最大額定值、熱阻議題、安全操作區域,以及動態操作與切換特性,幫助學員全面掌握IGBT的設計與應用要點。
修課條件:
1.大專以上理工科系畢有興趣學員(對功率IGBT元件有初步認識者)。
2.現職從事功率元件IC或電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員。
2.現職從事功率元件IC或電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員。
課程大綱:
I.Power IGBT Market(IGBT功率元件市場分佈介紹)
II.Physics & Engineering for Power Devices(功率元件物理與工程)
■ Power BJT
■ MOS Transistor
■ Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
III.Parasitic SCR Effect in an IGBT(功率IGBT元件內寄生SCR效應)
■ Parasitic SCR in a CMOS and IGBT
■ I-V Characteristics of an SCR
■ How to Avoid the LU Effect?
■ Criteria of LU Immunity in a Parasitic SCR
IV.Device Fabrication Trend of Power IGBTs(功率IGBT元件的製造趨勢)
■ Device Structures of IGBTs
■ IGBT Backside Thinning and Backside Implant
■ How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
■ Advantages of SiC/GaN (WBG) Power Devices(第三代半導體)
V.Characteristics of Power IGBTs(功率IGBT元件的各種電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ SOA
■ Dynamic Specifications
■ Switching Characteristics and Performances
II.Physics & Engineering for Power Devices(功率元件物理與工程)
■ Power BJT
■ MOS Transistor
■ Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
III.Parasitic SCR Effect in an IGBT(功率IGBT元件內寄生SCR效應)
■ Parasitic SCR in a CMOS and IGBT
■ I-V Characteristics of an SCR
■ How to Avoid the LU Effect?
■ Criteria of LU Immunity in a Parasitic SCR
IV.Device Fabrication Trend of Power IGBTs(功率IGBT元件的製造趨勢)
■ Device Structures of IGBTs
■ IGBT Backside Thinning and Backside Implant
■ How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
■ Advantages of SiC/GaN (WBG) Power Devices(第三代半導體)
V.Characteristics of Power IGBTs(功率IGBT元件的各種電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ SOA
■ Dynamic Specifications
■ Switching Characteristics and Performances
課程師資:
自強基金會專業講師
現任職務:國立大學電機資訊學院教授
最高學歷:國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷:
●國立大學 電子系 主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
●十速科技公司 顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司 首席顧問
●TSMC/UMC公司 顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司 顧問
●SunPal Tech 公司 研發處 處長
●CG電子公司 研發處 處長
專長:ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試
現任職務:國立大學電機資訊學院教授
最高學歷:國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷:
●國立大學 電子系 主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會 理事/監事
●十速科技公司 顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司 顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司 首席顧問
●TSMC/UMC公司 顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司 顧問
●SunPal Tech 公司 研發處 處長
●CG電子公司 研發處 處長
專長:ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試
主辦單位:
財團法人自強工業科學基金會
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學員須知:
注意事項