自強課程
課程名稱
【2026NEW】半導體積體電路製造與晶圓驗證實務
熱烈招生中
從製程原理到工程實務 完整解析
本課程幫助學員了解完整的積體電路製造技術原理與技術前後之關聯,課程介紹主要以矽為主要材料之半導體製程技術,當中也說明矽半導體材料之優點。課程內容包括半導體前段製程與後段金屬層製程之詳細說明,最後也講授積體電路完整製作流程後的晶圓允收測試及PCM大數據、IC良率考量,讓學員對半導體製程有清楚的輪廓與了解,因此我們期許學員課後能清楚掌握各半導體技術原理。
課程代碼:
15S054
上課時間:
2026/4/18(六) 4/19(日)9:00~16:00共12小時
上課時數:
12 小時
上課地點:
課程費用:
10000元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠:
- VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
- 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 9700 元
- 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 100 點
(金銀級會員已是最優惠價,無法再使用紅利折抵。)
修課條件:
有興趣的學員
課程大綱:
Topic-1 半導體材料與積體電路之發展
半導體之緣起與矽晶圓基本特性 電晶體之發展過程
積體電路之發展過程
Topic-2 IC製程簡介與晶圓清洗
IC製程簡介(前段製程(Front-End-of-Line, FEOL)及後段製程(Back-End-of-Line, BEOL)
晶圓清洗流程與方法
Topic-3 氧化層薄膜技術 (爐管)
氧化物薄膜性質
氧化層薄膜之應用
熱氧化製程、RTP
Topic-3 薄膜製程
薄膜物理式氣相沉積(蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering))
薄膜化學式氣相沉積(APCVD / LPCVD / PECVD)
金屬沉積(金屬物理式沈積、金屬CVD、先進Cu製程電鍍或無電鍍技術)
Topic-4 微影技術
微影簡介
光罩介紹
微影製程、光學微影原理
先進微影技術
Topic-5 擴散與離子佈植
摻雜製程概論
擴散製程及其應用
離子佈植及其應用
退火製程(Annealing & Dopant Activation)
Topic-6 蝕刻(Etching)及研磨技術
蝕刻參數
電漿乾蝕刻原理及其應用
乾蝕刻的限制 濕蝕刻 化學機械研磨 (CMP)及其應用 (Si 晶圓: Backside grind (thinning))Topic-7 晶圓驗證 線上參數電性檢測 晶圓允收測試線圖案 晶圓允收測試(WAT)及PCM大數據 IC良率 (Yield)
半導體之緣起與矽晶圓基本特性 電晶體之發展過程
積體電路之發展過程
Topic-2 IC製程簡介與晶圓清洗
IC製程簡介(前段製程(Front-End-of-Line, FEOL)及後段製程(Back-End-of-Line, BEOL)
晶圓清洗流程與方法
Topic-3 氧化層薄膜技術 (爐管)
氧化物薄膜性質
氧化層薄膜之應用
熱氧化製程、RTP
Topic-3 薄膜製程
薄膜物理式氣相沉積(蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering))
薄膜化學式氣相沉積(APCVD / LPCVD / PECVD)
金屬沉積(金屬物理式沈積、金屬CVD、先進Cu製程電鍍或無電鍍技術)
Topic-4 微影技術
微影簡介
光罩介紹
微影製程、光學微影原理
先進微影技術
Topic-5 擴散與離子佈植
摻雜製程概論
擴散製程及其應用
離子佈植及其應用
退火製程(Annealing & Dopant Activation)
Topic-6 蝕刻(Etching)及研磨技術
蝕刻參數
電漿乾蝕刻原理及其應用
乾蝕刻的限制 濕蝕刻 化學機械研磨 (CMP)及其應用 (Si 晶圓: Backside grind (thinning))Topic-7 晶圓驗證 線上參數電性檢測 晶圓允收測試線圖案 晶圓允收測試(WAT)及PCM大數據 IC良率 (Yield)
課程師資:
業界師資
主辦單位:
財團法人自強工業科學基金會
學員須知:
注意事項



