自強課程
課程名稱
MOS元件物理與設計
熱烈招生中
線上/實體
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*本課程為實體課程,如欲參加線上課程,請見下方的相關課程(15S368-1)。
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課程代碼:
15S368
上課時間:
115/12/1~116/1/26,每週二18:30~21:30,共9週27小時。
上課時數:
27 小時
課程費用:
12500元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後,系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠:
- VIP企業會員價:VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
- 會員優惠價: 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 12000 元
- 早安鳥方案:會員於開課二週前(含)報名並完成繳費,可享超值優惠價 11000 元
- 會員紅利折抵:本課程歡迎使用紅利折抵,最高可使用 100 點
課程目標:
深度瞭解MOS元件的操作原理及其設計方法。能夠估計MOS元件的特性。MOS元件涵蓋平面元件電晶體、鰭式元件電晶體及環繞式閘極(GAA)電晶體。
課程特色:
1.強調基礎原理的理解。透過從已知的基礎原理去類比瞭解新的元件原理。
2.掌握MOS元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明MOS元件。
2.掌握MOS元件工程技巧。使學員能夠分析、設計、評估及發明MOS元件。
修課條件:
1.適合大專(含)以上,電機/化學/化工/電子等理工科系畢業者。
2.建議有修過半導體元件物理課程者佳。
2.建議有修過半導體元件物理課程者佳。
課程大綱:
1.MOS電容與閘極堆疊
2.MOS電晶體的導通電流及其演進與趨勢
3.飽和區MOS電晶體的特性
4.MOS電晶體的漏電電流
5.MOS電晶體的微縮與趨勢
2.MOS電晶體的導通電流及其演進與趨勢
3.飽和區MOS電晶體的特性
4.MOS電晶體的漏電電流
5.MOS電晶體的微縮與趨勢
課程師資:
講師:連振炘
專長:半導體元件、非揮發性記憶體元件、CMOS功率元件、2D半導體材料
現任:國立清華大學 電子工程研究所 榮譽教授
專長:半導體元件、非揮發性記憶體元件、CMOS功率元件、2D半導體材料
現任:國立清華大學 電子工程研究所 榮譽教授
主辦單位:
財團法人自強工業科學基金會
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學員須知:
注意事項



