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自強課程
課程名稱
【補助申請中】HV/HF PowerMOS元件設計與動靜態特性介紹
如期開班
⭐⭐《企業內訓應援》詳見注意事項 ⭐⭐
課程代碼：
15S407
上課時間：
115/6/14、6/28，週日，09:00~17:00，共2週14小時。
上課時數：
14 小時
課程費用：
9200元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)
課程目標：
本課程將從功率MOSFET的元件物理與工程原理講起，涵蓋MOST、垂直式高壓元件，以及各類功率MOS電晶體（包括垂直式與水平式LDMOS）的設計與應用，並探討如何實現高壓Power MOS技術。接著，課程將深入解析高壓/高頻功率MOSFET的工程技術。隨後，我們將介紹功率元件的封裝技術，包括各種應用晶片模組、封裝結構、高可靠度封裝與高頻封裝方案。此外，課程也將探討高壓/高頻功率MOSFET的各種電性特性，如靜態電性（包括最高操作電壓、熱阻、安全操作區域）與動態電性，課程最後也討論高頻功率元件/封裝的考量點，這些內容將幫助學員掌握關鍵設計與應用要點。
修課條件：
1.大專以上理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員、新進工程師。
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員、新進工程師。
課程大綱：
I.Physics & Engineering for Power MOSFET Devices(功率MOSFET元件物理與工程)
■ MOS Transistor
■ HV Devices (Diode, Power MOSFET, IGBT)
■ Types of Power MOSFET (Vertical MOS/Lateral LDMOS)
■ How to Achieve a High-voltage PowerMOS?
II.High-voltage/High-frequency Power MOSFET Device Technologies(高壓/高頻功率MOSFET元件技術)
■ HV/HF Power MOSFET Technologies
■ Advanced Power MOSFETs
■ Device Engineering in HV/HF Power MOSFETs
■ Edge Termination Techniques in Power MOSFETs
■ SOA limits in HV PowerMOSFETs
■ WBG SiC/GaN HV Power Devices
III.Package Technologies of HV/HF Power MOSFET Devices(高壓/高頻功率MOSFET元件封裝技術)
■ Device Reliability Technologies
■ Parallel Connection of Power MOSFETs
■ Package Technologies
■ New Innovation Packages of Power MOSFETs
■ HF Power IC Packages
IV.Characteristics of HV/HF Power MOSFET Components(高壓/高頻功率MOSFET元件的電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ Static Electrical Specifications (On/Off Characteristics)
■ Dynamic/Switching Characteristics
V.Considerations of a High-frequency (HF) Power Component/Package(高頻功率元件/封裝的考量點)
■ Pinout Optimization Layout of a High-speed IC
■ Switching Noise Reduction by Snubber Circuits
■ Package Effect of Parasitic Electromagnetic Interference in High-frequency Power ICs
Ⅵ.Summary
■ MOS Transistor
■ HV Devices (Diode, Power MOSFET, IGBT)
■ Types of Power MOSFET (Vertical MOS/Lateral LDMOS)
■ How to Achieve a High-voltage PowerMOS?
II.High-voltage/High-frequency Power MOSFET Device Technologies(高壓/高頻功率MOSFET元件技術)
■ HV/HF Power MOSFET Technologies
■ Advanced Power MOSFETs
■ Device Engineering in HV/HF Power MOSFETs
■ Edge Termination Techniques in Power MOSFETs
■ SOA limits in HV PowerMOSFETs
■ WBG SiC/GaN HV Power Devices
III.Package Technologies of HV/HF Power MOSFET Devices(高壓/高頻功率MOSFET元件封裝技術)
■ Device Reliability Technologies
■ Parallel Connection of Power MOSFETs
■ Package Technologies
■ New Innovation Packages of Power MOSFETs
■ HF Power IC Packages
IV.Characteristics of HV/HF Power MOSFET Components(高壓/高頻功率MOSFET元件的電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ Static Electrical Specifications (On/Off Characteristics)
■ Dynamic/Switching Characteristics
V.Considerations of a High-frequency (HF) Power Component/Package(高頻功率元件/封裝的考量點)
■ Pinout Optimization Layout of a High-speed IC
■ Switching Noise Reduction by Snubber Circuits
■ Package Effect of Parasitic Electromagnetic Interference in High-frequency Power ICs
Ⅵ.Summary
課程師資：
自強基金會 陳老師
現任：國立大學電機資訊學院兼任教授
學歷：國立清華大學電機工程學系博士
專長：ESD/ LU防護電路設計, 電力電子, 可靠度工程, VLSI製程/測試
現任：國立大學電機資訊學院兼任教授
學歷：國立清華大學電機工程學系博士
專長：ESD/ LU防護電路設計, 電力電子, 可靠度工程, VLSI製程/測試
主辦單位:
財團法人自強工業科學基金會
學員須知：
注意事項
★課程費用包含：講義及稅。(不提供午餐)
★計畫補助課程不適用於其他基金會優惠方案及不可使用紅利點數折抵費用。
★計畫補助課程《確定開課》/《線上課程講義寄出》後，若因故無法上課，則不予退費。
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