自強課程

課程名稱

功率IGBT元件工程技術與電氣特性介紹熱烈招生中

課程代碼：

15S419

上課時間：

115/12/2、12/9 ，週三，09:00~16:00，共2天12小時。

上課時數：

12 小時

上課地點：

清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側)

課程費用：

7800元 (符合超值優惠價格者需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)

超值優惠：

VIP企業會員價：VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
會員優惠價： 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 7050 元
早安鳥方案：會員於開課二週前(含)報名並完成繳費，可享超值優惠價 6650 元

課程目標：

本課程將從功率IGBT的市場分佈與功率元件的物理與工程原理講起，涵蓋Power BJT、Power MOS與功率IGBT的比較分析。接著，課程將深入探討功率IGBT元件的寄生SCR效應，以及如何避免SCR閂鎖效應，以確保元件的穩定性與可靠性。
隨後，我們將說明功率IGBT的製造趨勢，介紹製程技術與背薄技術（Thinning Process），並探討如何預防IGBT的LU（Latch-Up）效應。最後，課程將解析IGBT的各項電性特性，包括最大額定值、熱阻議題、安全操作區域，以及動態操作與切換特性，幫助學員全面掌握IGBT的設計與應用要點。

修課條件：

1.大專以上理工科系畢有興趣學員(對功率IGBT元件有初步認識者)。
2.現職從事功率元件IC或電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員。

課程大綱：

I.Power IGBT Market (IGBT功率元件市場分佈介紹)
II.Physics & Engineering for Power Devices (功率元件物理與工程)
■ Power BJT
■ MOS Transistor
■ Vertical HV Devices (BJT, Power MOSFET, IGBT)
III.Parasitic SCR Effect in an IGBT (功率IGBT元件內寄生SCR效應)
■ Parasitic SCR in a CMOS and IGBT
■ I-V Characteristics of an SCR
■ How to Avoid the LU Effect ?
■ Criteria of LU Immunity in a Parasitic SCR
IV.Device Fabrication Trend of Power IGBTs (功率IGBT元件的製造趨勢)
■ Device Structures of IGBTs
■ IGBT Backside Thinning and Backside Implant
■ How to Avoid the LU Effect in an IGBT?
■ Advantages of SiC/GaN (WBG) Power Devices (第三代半導體)
V.Characteristics of Power IGBTs (功率IGBT元件的各種電性特性)
■ Maximum rating values
■ Thermal Characteristics
■ SOA
■ Dynamic Specifications
■ Switching Characteristics and Performances
VI.Summary

課程師資：

自強基金會陳老師
現任：國立大學電機資訊學院兼任教授
學歷：國立清華大學電機工程學系博士
專長：ESD/LU防護電路設計, 電力電子, 可靠度工程, VLSI製程/測試。

主辦單位:

財團法人自強工業科學基金會

學員須知：

報名與繳退費方法｜常見問題與解決｜會員紅利積點活動辦法

注意事項

清華大學學生優惠方案：清華大學學生可享課程最低優惠價─VIP企業會員優惠價，完成報名後須來電告知修改費用(使用本優惠價須於報名同時檢附在學中有效的清華大學學生證，且不得開立抬頭「國立清華大學」以外的三聯式公司發票)。

若遇不可預測之突發因素，基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。

無紙化環境，輕鬆達到減碳救地球，即日起16小時以上課程結業證書或未達16小時課程上課證明皆以電子方式提供。

使用VIP廠商優惠之學員，上課當日報到時須查核該公司識別證(相關證明資料)。

課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。