自強課程

課程名稱

【竹科管理局線上補助課程】5G時代化合物半導體市場趨勢、磊晶製程與關鍵元件解析熱烈招生中全線上

課程代碼：

13A326

上課時間：

113/5/26(日)、6/2(日)，09:00~16:00，共兩天12小時。

上課時數：

12 小時

上課地點：

網路線上

課程費用： (以下費用已由竹科管理局補助80%)

3000元 (科學園區廠商優惠價格需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)

超值優惠：

科學園區廠商優惠價： 2000 元(★繳費完成才算報名成功喔★)

課程目標：

隨著目前高速通訊及電動車等應用興起，所使用的材料對於高頻、低損耗及高功率特性的需求與日俱增。在此情況下擁有優秀特性的化合物半導體材料，成為備受產業界所關注焦點。因此對於具有長發光波長化合物半導體、如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)可應用於通訊及3D感測；而碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)正在與傳統的矽材料結合使用，由於可以在較高頻率、電壓和溫度的環境下作業；另一方面氧化鎵（Ga2O3）新一代材料，因其基板製作相較於 SiC 與 GaN 更為容易，又因為其超寬能隙的特性，使材料所能承受更高電壓的崩潰電壓和臨界電場，使其在超高功率元件之應用極具潛力，因而為相關產業發展帶來嶄新突破。本課程講師首先介紹目前各世代化合物半導體市場趨勢並介紹各世代化合物半導體材料特性，此外解析各種關鍵磊晶方法及元件製程介紹。

課程大綱：

1. 化合物半導市場趨勢及材料特性介紹
2. 砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)材料特性介紹
3. 碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)材料特性介紹
4. 氧化鎵（Ga2O3）材料特性介紹
5. 關鍵磊晶技術原理介紹
6. 化合物半導體磊晶方法介紹
7. 關鍵化合物半導體元件製作與應用 (高速通訊、電動車、3D感測)
8. 結論

課程師資：

講師：專業講師
專長：化合物半導體材料磊晶及元件研製、奈米材料特性量測及元件製作、寬
能隙光電元件研發與製造
現任：中原大學電子工程學系助理教授

主辦單位:

國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局

執行單位：

財團法人自強工業科學基金會

學員須知：

報名與繳退費方法｜常見問題與解決｜會員紅利積點活動辦法

注意事項

※請前往竹科管理局廠商與單位名錄進行查詢，即可判斷公司是否為園區內廠商。