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自強課程
課程名稱
【竹科管理局補助課程】寬能隙碳化矽半導體市場與技術
熱烈招生中
⭐補助課程名額有限，請盡速報名🙌
課程代碼：
13S329
上課時間：
113/8/29(四)10:00-17:00
113/8/30(五)09:30-16:30
共兩天12小時
113/8/30(五)09:30-16:30
共兩天12小時
上課時數：
12 小時
課程費用：
(以下費用已由竹科管理局補助80%)
3500元
(科學園區廠商優惠價格需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠：
課程目標：
強化寬能隙碳化矽半導體市場與技術，讓初學者可以快速進入寬能隙碳化矽半導體市場。
課程特色：
針對寬能隙碳化矽半導體市場與技術來看整個未來技術發展，偏重碳化矽基礎
材料、磊晶知識、SiC MOSFETs製作與結構技術，並說明全球產業鏈概況以及
目前領先的公司技術含量，屬於專業技術課程。
材料、磊晶知識、SiC MOSFETs製作與結構技術，並說明全球產業鏈概況以及
目前領先的公司技術含量，屬於專業技術課程。
課程大綱：
1.寬能隙功率半導體材料演進史（Evolution History of Wide Bandgap
Power Semiconductor Materials)
2.寬能隙功率半導體應用市場與近況（Wide Bandgap Power
Semiconductor Application Market)
3.全球碳化矽生態系統（Global SiC ecosystem）
4.From SiC ingot to SiC Substrates
5.SiC Epitaxy and SiC MOCVD Venders
6.Brief Process Flow for SiC MOSFETs
7.SiC Power Devices(Schottky Barrier Diodes、Planar and Trench
MOSFETs)
8.Architecture design in SiC device (structure、process、
epitaxy, etc.)
Power Semiconductor Materials)
2.寬能隙功率半導體應用市場與近況（Wide Bandgap Power
Semiconductor Application Market)
3.全球碳化矽生態系統（Global SiC ecosystem）
4.From SiC ingot to SiC Substrates
5.SiC Epitaxy and SiC MOCVD Venders
6.Brief Process Flow for SiC MOSFETs
7.SiC Power Devices(Schottky Barrier Diodes、Planar and Trench
MOSFETs)
8.Architecture design in SiC device (structure、process、
epitaxy, etc.)
課程師資：
講師：自強基金會 專業講師
專長：半導體元件物理、發光二極體開發、積體電路故障分析、半導體材料分
析
專長：半導體元件物理、發光二極體開發、積體電路故障分析、半導體材料分
析
主辦單位:
國家科學及技術委員會新竹科學園區管理局
執行單位：
財團法人自強工業科學基金會
學員須知：
注意事項
※請前往竹科管理局廠商與單位名錄進行查詢，即可判斷公司是否為園區內廠商。
- 本計畫鼓勵女性學員報名參加培訓課程，必要時得優先錄取。
- 本計畫以竹科園區事業單位從業員工為主優先錄取，若有名額將開放有志進入園區就業人士報名參加。
- 防疫期間如有居家隔離、居家檢疫、自主健康管理且有呼吸道感染症狀等情形者，務必遵守中央流行疫情指揮中心防疫措施，請勿出席。 ☆課程費用包含：紙本講義及稅。(不含午餐)
- 若遇不可預測之突發因素，基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。
- 無紙化環境，輕鬆達到減碳救地球，即日起16小時以上課程結業證書或未達16小時課程上課證明皆以電子方式提供。
- 本課程不適用廠商VIP折扣優惠
- 課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。
- 課程嚴禁旁聽，亦不可攜眷參與。
- 優惠方案擇一使用。
☆計畫補助課程不適用於其他基金會優惠方案及不可使用紅利點數折抵費用。
★計畫補助課程開課後，若因故無法上課，則不予退費。
✨針對園區廠商提供企業內訓課程規劃並享有優惠方案，若有需求可洽03-5623116分機3610鄒小姐。
