自強課程

課程名稱

HV/HF PowerMOS元件設計工程與靜動態特性介紹熱烈招生中

課程代碼：

13S384

上課時間：

113/12/7～113/12/14，週六 09:00~17:00，共2週14小時。

上課時數：

14 小時

上課地點：

清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側)

課程費用：

9200元 (符合超值優惠價格者需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)

超值優惠：

VIP企業會員價：VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
會員優惠價： 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 8600 元
早安鳥方案：會員於開課二週前(含)報名並完成繳費，可享超值優惠價 8000 元

課程目標：

本課程將從功率MOSFET元件物理與工程(MOST、垂直高壓元件、各種功率MOS電晶體(包括垂直式/水平式LDMOS)與應用，以及如何可達高壓PowerMOS談起，進而談論高壓/高頻功率MOSFET元件技術、其功率元件封裝技術包括：各種應用晶片模組、封裝結構、高可靠度封裝、高頻封裝。最後也討論高壓/高頻功率MOSFET元件各種靜態電性(包括最高操作電壓、熱阻、安全操作區域)、動態電性特性等。

修課條件：

1.大專以上理工科系畢有興趣學員 (對功率MOSFET元件有初步認識者)。
2.現職從事功率IC與電子產品之RD設計、佈局、製造、產品應用與品管、品保、FA相關技術人員、新進工程師。

課程大綱：

1.Physics & Engineering for Power MOSFET Devices
- MOS Transistor
- HV Devices (Diode, Power MOSFET, IGBT)
- Types of Power MOSFET (Vertical MOS/Lateral LDMOS)
- How to Achieve a High-voltage PowerMOS? 2.High-voltage/High-frequency Power MOSFET Device Technologies
- Power MOSFET Technologies
- Advanced Power MOSFETs
- Device Engineering in HV/HF Power MOSFETs
- SOA Considerations in HV Devices
3.Package Technologies of HV/HF Power MOSFET Devices
- Device Reliability Technologies
- Package Technologies
- New Innovation Packages of Power MOSFETs
- HF Power IC Packages
4.Characteristics of HV/HF Power MOSFET Components
- Maximum rating values
- Thermal Characteristics
- Static Electrical Specifications (On/Off Characteristics)
- Dynamic/Switching Characteristics

課程師資：

自強基金會專業講師
現任職務：國立大學電機資訊學院院長
最高學歷：國立清華大學電機工程學系博士
重要經歷：
●國立大學電子系主任/所長
●台灣靜電放電防護工程學會理事/監事
●十速科技公司顧問
●深圳華為技術(海思半導體)公司顧問
●盛強電子/ 閎康科技公司首席顧問
●TSMC/UMC公司顧問
●工研院電子所/偉詮電子公司顧問
●SunPal Tech 公司研發處處長
●CG電子公司研發處處長
專長：ESD/ LU防護電路設計,電力電子,可靠度工程,類比電路設計,VLSI 製程/測試

主辦單位:

財團法人自強工業科學基金會

學員須知：

報名與繳退費方法｜常見問題與解決｜會員紅利積點活動辦法

注意事項

清華大學學生優惠方案：清華大學學生可享課程最低優惠價─VIP企業會員優惠價，完成報名後須來電告知修改費用(使用本優惠價須於報名同時檢附清華大學學生證)。

☆課程費用：包含稅、講義。

若遇不可預測之突發因素，基金會保有相關課程調整、取消及講師之變動權。

無紙化環境，輕鬆達到減碳救地球，即日起16小時以上課程結業證書或未達16小時課程上課證明皆以電子方式提供。

使用VIP廠商優惠之學員，上課當日報到時須查核該公司識別證(相關證明資料)。

課前請詳閱簡章之課程內容或利用課程諮詢電話。

課程嚴禁旁聽，亦不可攜眷參與。