自強課程

課程名稱

高功率半導體元件材料與應用(全選) 熱烈招生中

**本系列課程分為全選、單選，學員們可依照需求報名。單選課程請參考本頁面之「相關課程」。**

課程代碼：

13S391

上課時間：

113/11/23(六)、11/30(六)、12/07(六)，上午時段09:00~12:00/下午時段13:00~16:00，3週共計18小時。

上課時數：

18 小時

上課地點：

清華大學第四綜合大樓(清華大學東側門入口處左手邊即為自強基金會大門入口/清大郵局左側)

課程費用：

16000元 (符合超值優惠價格者需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)

超值優惠：

VIP企業會員價：VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
會員優惠價： 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 14000 元
早安鳥方案：會員於開課二週前(含)報名並完成繳費，可享超值優惠價 13000 元
會員紅利折抵：本課程歡迎使用紅利折抵，最高可使用 50 點

課程大綱：

【GaN功率元件與製程GaN power device and process engineering】
授課講師:林群雄教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間:113/11/23(六)09:00~12:00
1.氮化鎵元件結構介紹
2.典型 Gate and Ohmic contact 製程 for 氮化鎵HEMT元件
3.先進 CMOS compatible 製程 for 氮化鎵HEMT元件
4. p-GaN gate GaN HEMT元件製程
5.Vertical GaN 元件製程

【寬能隙氧化物從晶棒/磊晶/元件】
授課講師:洪瑞華教授(陽明交大電子所)
上課時間:113/11/23(六)13:00~16:00
1.寬能隙氧化物從晶棒/磊晶/元件
2.寬能隙氧化物之發展現況
3.寬能隙氧化物基板製作
4.寬能隙氧化物磊晶成長
5.寬能隙氧化物功率元件之設計與製作

【Reliability of high power devices】
授課講師:吳添立教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間:113/11/30(六)09:00~12:00
1.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)元件操作物理機制
2.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)功率元件可靠度測試方式
3.了解氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)功率元件可靠度失效機制

【GaN power devices technology & applications】
授課講師:張翼教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間:113/11/30(六)13:00~16:00
1.Material properties of GaN
2.What is HEMT - 2DEG mechanism
3.AlGaN/GaN epitaxial growth
4.Device fabrication
5.Electrical performances of GaN power devices
6.Power applications
7.Enhanced-mode (normally-off) HEMT device

【三族氮化物磊晶成長與分析】
授課講師:張立教授(陽明交大材料科學與工程學系所)
上課時間:113/12/07(六)09:00~12:00
1.磊晶原理
2.有機金屬化學氣相沉積原理
3.磊晶薄膜分析

【功率半導體封裝技術與可靠度】
授課講師:陳俊豪教授(陽明交大國際半導體學院)
上課時間:113/12/07(六)13:00~16:00
1.高功率元件與模組封裝發展
2.晶背固晶接合技術與材料暨功率模組可靠度
3.晶面打線接合技術與材料暨功率模組可靠度
4.功率模組主動式可靠度試驗

課程師資：

林群雄教授(陽明交大國際半導體學院)
洪瑞華教授(陽明交大電子所)
吳添立教授(陽明交大國際半導體學院)
張翼教授(陽明交大國際半導體學院)
張立教授(陽明交大材料科學與工程學系所)
陳俊豪教授(陽明交大國際半導體學院)

主辦單位:

中國材料科學學會產學研合作委員會、財團法人自強工業科學基金會