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自強課程
課程名稱
【高功率半導體元件與應用-1】GaN功率元件與製程(GaN power device and process engineering)
熱烈招生中
**本系列課程分為全選、單選，學員們可依照需求報名。單選課程請參考本頁面之「相關課程」。**
課程代碼：
13S391-1
上課時間：
113/11/23(六)，09:00-12:00，共3小時
上課時數：
3 小時
課程費用：
3000元
(符合超值優惠價格者需送出報名表後，系統發出報名成功回函確認金額。)
超值優惠：
- VIP企業會員價：VIP企業會員可享優惠價格 (按我)
- 會員優惠價： 會員於開課前七天完成報名繳費者可享會員優惠價 2800 元
- 早安鳥方案：會員於開課二週前(含)報名並完成繳費，可享超值優惠價 2600 元
- 會員紅利折抵：本課程歡迎使用紅利折抵，最高可使用 50 點
課程特色：
高功率元件氮化鎵結構與製程介紹
課程大綱：
1.氮化鎵元件結構介紹
2.典型 Gate and Ohmic contact 製程 for 氮化鎵HEMT元件
3.先進 CMOS compatible 製程 for 氮化鎵HEMT元件
4.p-GaN gate GaN HEMT元件製程
5.Vertical GaN 元件製程
2.典型 Gate and Ohmic contact 製程 for 氮化鎵HEMT元件
3.先進 CMOS compatible 製程 for 氮化鎵HEMT元件
4.p-GaN gate GaN HEMT元件製程
5.Vertical GaN 元件製程
課程師資：
林群雄教授(陽明交大國際半導體學院)
主辦單位:
中國材料科學學會產學研合作委員會、財團法人自強工業科學基金會
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注意事項
